La SS è definita come:
```
$$ SS =\frac{d V_{gs}}{d \log I_{ds}} $$
```
Dove:
* $$V_{gs}$$ è la tensione gate-source
* $$I_{ds}$$ è la corrente dallo scarico alla sorgente
L'SS viene generalmente misurato in millivolt per decennio. Un SS inferiore indica un MOSFET più efficiente, poiché richiede meno oscillazioni di tensione per modificare la corrente di drain.
Le SS sono influenzate da diversi fattori, tra cui:
* Lo spessore dell'ossido del cancello
* Il drogaggio delle regioni di source e drain
* La lunghezza del canale
* La temperatura
Lo spessore dell'ossido di gate è il fattore più importante che influenza la SS. Un ossido di gate più sottile determina un SS inferiore. Tuttavia, un ossido di gate più sottile rende anche il MOSFET più suscettibile alla rottura.
Il drogaggio delle regioni di source e drain colpisce anche le SS. Una concentrazione di doping più elevata si traduce in un SS inferiore. Tuttavia, una maggiore concentrazione di drogaggio aumenta anche la resistenza parassitaria del MOSFET, che può peggiorarne le prestazioni.
La lunghezza del canale è un altro fattore importante che influenza le SS. Una lunghezza del canale più breve si traduce in una SS inferiore. Tuttavia, una lunghezza del canale più breve rende il MOSFET più suscettibile agli effetti del canale corto, che possono peggiorarne le prestazioni.
La temperatura colpisce anche la SS. Una temperatura più alta si traduce in un SS più alto. Questo perché la mobilità dei portatori di carica nel MOSFET diminuisce all'aumentare della temperatura, il che rende più difficile per il MOSFET il passaggio dallo stato acceso a quello spento.
L'SS è un'importante cifra di merito per i MOSFET, poiché indica l'efficienza con cui possono passare dallo stato acceso a quello spento. Ottimizzando la progettazione del MOSFET, è possibile ottenere un SS basso, che può migliorare le prestazioni del MOSFET.